Епітаксійні пластини GaAs/AlAs Базовий матеріал (підкладка): • Матеріал: монокристалічний GaAs • Тип: epi-ready • Діаметр: 2" • Орієнтація: (100) ± 0,1° • Тип провідності: n-type • Товщина: 350–500 мкм • Полірування: DSP Епітаксійна структура (приладний шар) • Матеріал: AlAs (арсенід алюмінію) • Метод вирощування: MBE • Товщина шару: 50–200 нм • Однорідність товщини: ≤ 3% • Шорсткість поверхні: ≤ 0,5 нм • Дефекти: низькодефектний епітаксійний шар, придатний для оптоелектронних досліджень Призначення: гетероструктури для фотодетекторів
Список позицій
| Назва | Кількість | Період доставки | Місце доставки |
|---|---|---|---|
|
Назва: Епітаксійні пластини GaAs/AlAs Базовий матеріал (підкладка): • Матеріал: монокристалічний GaAs • Тип: epi-ready • Діаметр: 2" • Орієнтація: (100) ± 0,1° • Тип провідності: n-type • Товщина: 350–500 мкм • Полірування: DSP Епітаксійна структура (приладний шар) • Матеріал: AlAs (арсенід алюмінію) • Метод вирощування: MBE • Товщина шару: 50–200 нм • Однорідність товщини: ≤ 3% • Шорсткість поверхні: ≤ 0,5 нм • Дефекти: низькодефектний епітаксійний шар, придатний для оптоелектронних досліджень Призначення: гетероструктури для фотодетекторів
Код ДК 021:2015:
31712330-2 Напівпровідникові прилади
|
Кількість: 5 штука |
Період доставки: 25 груд. 2025 00:00 |
Місце доставки: Україна, 69011, Запорізька область, ЗАПОРІЖЖЯ, вул. Унівкрситетська, 55а |
Документи закупівлі
| Назва документу | Тип документу | Дата розміщення |
| Електронний підпис | 14 січ. 11:04 | |
| Електронний підпис | 15 груд. 2025 11:03 | |
|
|
||
| Підписаний договір | 15 груд. 2025 11:00 | |