Епітаксійні пластини GaAs/AlAs Базовий матеріал (підкладка): • Матеріал: монокристалічний GaAs • Тип: epi-ready • Діаметр: 2" • Орієнтація: (100) ± 0,1° • Тип провідності: n-type • Товщина: 350–500 мкм • Полірування: DSP Епітаксійна структура (приладний шар) • Матеріал: AlAs (арсенід алюмінію) • Метод вирощування: MBE • Товщина шару: 50–200 нм • Однорідність товщини: ≤ 3% • Шорсткість поверхні: ≤ 0,5 нм • Дефекти: низькодефектний епітаксійний шар, придатний для оптоелектронних досліджень Призначення: гетероструктури для фотодетекторів
Items list
| Name | Quantity | Delivery period | Place of delivery |
|---|---|---|---|
|
Name: Епітаксійні пластини GaAs/AlAs Базовий матеріал (підкладка): • Матеріал: монокристалічний GaAs • Тип: epi-ready • Діаметр: 2" • Орієнтація: (100) ± 0,1° • Тип провідності: n-type • Товщина: 350–500 мкм • Полірування: DSP Епітаксійна структура (приладний шар) • Матеріал: AlAs (арсенід алюмінію) • Метод вирощування: MBE • Товщина шару: 50–200 нм • Однорідність товщини: ≤ 3% • Шорсткість поверхні: ≤ 0,5 нм • Дефекти: низькодефектний епітаксійний шар, придатний для оптоелектронних досліджень Призначення: гетероструктури для фотодетекторів
Code DK 021:2015:
31712330-2 Напівпровідникові прилади
|
Quantity: 5 штука |
Delivery period: Dec 25, 2025, 00:00 |
Place of delivery: Україна, 69011, Запорізька область, ЗАПОРІЖЖЯ, вул. Унівкрситетська, 55а |
Procurement documents
| Document name | Document type | Date of publishing |
| Electronic signature | Jan 14, 11:04 | |
| Electronic signature | Dec 15, 2025, 11:03 | |
|
|
||
| Signed contract | Dec 15, 2025, 11:00 | |