Створення легованих бором шарів в кремнії для виготовлення p-i-n фотодіодів. Дослідження і виготовлення експериментальних зразків гнучких поліїмідних носіїв для складання p-i-n фотодфодів . Відпрацювання процесів фотолітографії для створення p-i-n фотодіодів. Дослідження та відпрацювання процесів дифузії фосфору в кремній для створення p-i-n фотодіодів.
Список позицій
| Назва | Кількість | Період доставки | Місце доставки |
|---|---|---|---|
|
Назва: Створення легованих бором шарів в кремнії для виготовлення експериментальних зразків гнучких поліїмідних носіїв для складання p-i-n фотодфодів . Відпрацювання процесів фотолітографії для створення p-i-n фотодіодів. Дослідження та відпрацювання процесів дифузії фосфору в кремній для створення p-i-n фотодіодів.
Код ДК 021:2015:
73300000-5 Проектування та виконання НДДКР
Код ДК015:
I.2 11 Дослідження та розробки в галузі металургії, обробки металів, виробництва машин та устаткування
|
Кількість: 1 посл. |
Період доставки: 30 вер. 2019 00:00 |
Місце доставки: Україна, 61072, Харківська обл., Харків, проспект Науки, буд. 60 |
Документи закупівлі
| Назва документу | Тип документу | Дата розміщення |
| Підписаний договір | 6 серп. 2019 10:51 | |
| Електронний підпис | 6 серп. 2019 10:51 |