Створення легованих бором шарів в кремнії для виготовлення p-i-n фотодіодів. Дослідження і виготовлення експериментальних зразків гнучких поліїмідних носіїв для складання p-i-n фотодфодів . Відпрацювання процесів фотолітографії для створення p-i-n фотодіодів. Дослідження та відпрацювання процесів дифузії фосфору в кремній для створення p-i-n фотодіодів.
Items list
| Name | Quantity | Delivery period | Place of delivery |
|---|---|---|---|
|
Name: Створення легованих бором шарів в кремнії для виготовлення експериментальних зразків гнучких поліїмідних носіїв для складання p-i-n фотодфодів . Відпрацювання процесів фотолітографії для створення p-i-n фотодіодів. Дослідження та відпрацювання процесів дифузії фосфору в кремній для створення p-i-n фотодіодів.
Code DK 021:2015:
73300000-5 Проектування та виконання НДДКР
Code ДК015:
I.2 11 Дослідження та розробки в галузі металургії, обробки металів, виробництва машин та устаткування
|
Quantity: 1 посл. |
Delivery period: Sep 30, 2019, 00:00 |
Place of delivery: Україна, 61072, Харківська обл., Харків, проспект Науки, буд. 60 |
Procurement documents
| Document name | Document type | Date of publishing |
| Signed contract | Aug 6, 2019, 10:51 | |
| Electronic signature | Aug 6, 2019, 10:51 |