Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі
Дійсний:
13 квіт. 2018 – 31 груд. 2018
ID контракту:
UA-2018-04-16-000093-b-b1
Номер:
Ф76/20-2018
Дата підписання:
13 квіт. 2018 00:00
Список позицій
| Назва | Кількість | Період доставки | Місце доставки |
|---|---|---|---|
|
Назва: Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі
Код ДК 021:2015:
73110000-6 Дослідницькі послуги
|
Кількість: 1 послуга |
Період доставки: 13 квіт. 2018 10:45 – 31 груд. 2018 10:45 |
Місце доставки: Україна, 01601, м. Київ, місто Київ, бульвар Тараса Шевченка, 16 |
Документи закупівлі
| Назва документу | Тип документу | Дата розміщення |
| Електронний підпис | 16 квіт. 2018 10:46 | |
| Підписаний договір | 16 квіт. 2018 10:45 |
Основний контакт
Інформація про постачальника
Назва:
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Код ЄДРПОУ:
05416952
Вебсайт:
Не вказано
Адреса:
Україна, м. Київ, місто Київ, проспект Науки, 41
Інформація про замовника
Назва:
Державний фонд фундаментальних досліджень
Код ЄДРПОУ:
26252928
Вебсайт:
Не вказано
Адреса:
Україна, 01601, м. Київ, Київ, бульвар Тараса Шевченка, 16