Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі
Дійсний:
14 вер. 2017 – 31 груд. 2017
ID контракту:
UA-2017-09-15-000367-c-a1
Номер:
Ф76/98-2017
Дата підписання:
14 вер. 2017 23:59
Список позицій
| Назва | Кількість | Період доставки | Місце доставки |
|---|---|---|---|
|
Назва: Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі
Код ДК 021:2015:
73110000-6 Дослідницькі послуги
|
Кількість: 1 послуга |
Період доставки: 14 вер. 2017 10:05 – 31 груд. 2017 10:05 |
Місце доставки: Україна, 01601, м. Київ, місто Київ, бульвар Тараса Шевчена, 16 |
Документи закупівлі
| Назва документу | Тип документу | Дата розміщення |
| Електронний підпис | 15 вер. 2017 10:04 | |
| Не вказано | 15 вер. 2017 10:04 |
Основний контакт
Інформація про постачальника
Назва:
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Код ЄДРПОУ:
05416952
Вебсайт:
Не вказано
Адреса:
Україна, м. Київ, місто Київ, пр. Науки, 41
Інформація про замовника
Назва:
Державний фонд фундаментальних досліджень
Код ЄДРПОУ:
26252928
Вебсайт:
Не вказано
Адреса:
Україна, 01601, м. Київ, Київ, бульвар Тараса Шевченка, 16